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| 第一作者所在部门: | ||||||||
| 论文题目: | Metal–insulator transition in few-layered GaTe transistors | |||||||
| 作者: | Xia XX, Li XX, Wang HW | |||||||
| 论文出处（相关负责人）: | ||||||||
| 刊物名称: | Journal of Semiconductors | |||||||
| 年: | 2020 | |||||||
| 卷: | 68 | |||||||
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| 页码: | 82- | |||||||
| 联系作者: | ||||||||
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