2002/09-2006/07: 本科, 材料科学与工程专业, 材料与冶金学院, 东北大学。

2007/09-2009/07: 硕士, 材料学专业, 材料与冶金学院, 东北大学。

2009/10-2013/09: 博士，化学专业，理学研究部，日本名古屋大学。

2013/10-2014/07: 博士后研究员，量子工学研究科, 日本名古屋大学。

2014/08-2016/08: 博士后研究员, 先进炭材料研究部, 沈阳材料科学国家研究中心，中国科学院金属研究所。

2016/09-2017/08: 助理研究员，先进炭材料研究部, 沈阳材料科学国家研究中心，中国科学院金属研究所。

2017/09-现在: 副研究员, 先进炭材料研究部, 沈阳材料科学国家研究中心, 中国科学院金属研究所。

（1）碳基电子器件；

（2）柔性电子器件；

（3）低维材料半导体器件；

（1）提出一种以光刻胶作为栅绝缘层的碳纳米管薄膜晶体管及其存储器件的制作方法。 

　　图1、碳纳米管非易失性存储器
（Carbon 127, 700, 2017）

（2）提出一种感光干膜图形化技术，实现了柔性和透明全碳纳米管集成电路的低成本、高效制备，为碳基柔性电子器件的规模化研发奠定了基础。

　　图2、大面积柔性和透明全碳纳米管集成电路
　（Advanced Science 5, 1700965, 2018）

 （3）提出一种基于铝纳米晶浮栅的碳纳米管非易失性存储器，首次实现了光学图像传感与图像存储一体化的碳基器件，为新型柔性光检测与存储器件的研制奠定了基础。

　　图3、柔性碳纳米管光电传感-记忆器件
　　（Advanced Materials 32, 1907288, 2020）

（4）提出一种基于梯度氧化石墨烯的高性能柔性阻变存储器，发展可控氧化技术，获得具有梯度氧化分布的少数层石墨烯阻变层材料，这种梯度氧化石墨烯材料兼具大面积均匀性及氧化程度可调性；基于双惰性金属电极构筑的阻变存储器的电流开关比高于10⁵、数据保持长于10⁶ s、循环耐受性达到10⁴次、响应速度优于100 ns。

　　图4、基于梯度氧化石墨烯的高性能柔性阻变存储器
（Nanoscale 13, 2448, 2021）

（5）提出一种碳纳米管三维集成电路的新构筑方法，利用高疏水性的聚四氟乙烯作为隔断层，抑制环境因素对碳纳米管沟道的影响，实现五层以上的三维集成电路的叠层构筑，有效缩减电路面积，为高集成度碳基电子器件及系统的研制提供科学方案。

　　图5、叠层式三维碳纳米管集成电路
（Nanoscale 2022, DOI: 10.1039/D2NR01498J）

1) Yun Sun, Bing-Wei Wang, Peng-Xiang Hou, Chang Liu, Lin-Lin Fang, Jun Tan, Dong-Ming Sun, Hui-Ming Cheng, “Flexible carbon nanotube thin-film transistors and memory devices with a photoresist gate dielectric”, Carbon 127, 700, 2017.

2) Yong-Yang Chen#, Yun Sun#, Qian-Bing Zhu, Bing-Wei Wang, Xin Yan, Song Qiu, Qing-Wen Li, Peng-Xiang Hou, Chang Liu, Dong-Ming Sun, Hui-Ming Cheng, “High-throughput fabrication of flexible and transparent all-carbon nanotube electronics”, Advanced Science 5, 1700965, 2018.

3) Ting-Yu Qu#, Yun Sun#, Mao-Lin Chen#, Zhi-Bo Liu, Qian-Bing Zhu, Bing-Wei Wang, Tian-Yang Zhao, Chi Liu, Jun Tan, Song Qiu, Qing-Wen Li, Zheng Han, Wei Wang, Hui-Ming Cheng, Dong-Ming Sun, “A flexible carbon nanotube sen-memory device”, Advanced Materials 32, 1907288, 2020.

4) Tariq Aziz#, Yun Sun#, Zu-Heng Wu#, Mustafa Haider, Ting-Yu Qu, Azim Khan, Chao Zhen, Qi Liu*, Hui-Ming Cheng, Dong-Ming Sun*, “A flexible nickel phthalocyanine resistive random access memory with multi-level data storage capability”, Journal of Materials Science & Technology 86, 151, 2021.

5) Tariq Aziz#, Shijing Wei#, Yun Sun#, Lai-Peng Ma*, Songfeng Pei, Shichao Dong, Wencai Ren, Qi Liu*, Hui-Ming Cheng, Dong-Ming Sun*, “High-performance flexible resistive random access memory devices based on graphene oxidized with a perpendicular oxidation gradient”, Nanoscale 13, 2448, 2021.

6) Jian Yang#, Yun Sun#, Shun Feng, Chao Zang, Bo Li, Qiu Song*, Qing-Wen Li, Xin Yan*, Dong-Ming Sun*, “Laminated three-dimensional carbon nanotube integrated circuits”, Nanoscale 2022, DOI: 10.1039/D2NR01498J.

近期获得专利

1) 孙陨、孙东明、汪炳伟、刘畅、侯鹏翔、成会明，以光刻胶为栅绝缘层的碳纳米管薄膜晶体管及制作和应用，2017-4-19，中国，ZL201710255801.6。

2) 孙东明、陈永洋、闫欣、孙陨、刘畅、成会明，一种基于感光干膜工艺的碳纳米管薄膜晶体管及制作方法，2017-6-5, 中国, CN201710411464.5。

3) 孙陨、曲庭玉、孙东明、朱钱兵、成会明，基于铝纳米晶浮栅的柔性碳纳米管光电记忆存储器，2019-4-22, 中国, CN201910325450.0。

4) 孙东明、汪炳伟、刘畅、侯鹏翔、孙陨、栾健、成会明，米级尺度单壁碳纳米管薄膜连续制备转移方法及专用装置，2019-5-9, 中国, CN201910386388.6。

5) 孙陨、朱钱兵、李波、孙东明、成会明，一种基于碳纳米管／全无机钙钛矿量子点的人工视觉系统及制作方法，2021-3-19，中国，CN202110293238.8。