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马来鹏
性 别 最高学历 博士研究生
职 称 研究员 专家类别 硕士生导师
部 门 沈阳材料科学国家研究中心/先进炭材料研究部
通讯地址 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号,中国科学院金属研究所,先进炭材料研究部
邮政编码 110016 电子邮件 lpma@imr.ac.cn
电 话 +86-24-83970037 传 真 +86-24-23971682
简历:

  教育和工作经历

  2021.11-至今, 中国科学院金属研究所,研究员。

  2019.5-2020.6, 美国加州大学洛杉矶分校,访问学者。

  2012.10-2021.11,中国科学院金属研究所,副研究员。

  2009.7-2012.10, 中国科学院金属研究所,助理研究员。

  2005.9-2009.6, 中国科学院金属研究所,工学博士。

研究领域:

  石墨烯的CVD制备与柔性光/电器件应用。

承担科研项目情况:

1)提出了“增透掺杂”同步提升石墨烯的透光率和电导

  如何打破透光率和电导的相互制衡,实现电/光导率比的大幅提升,是透明导电材料领域面临的经典科学难题。从减反增透的角度,提出了利用掺杂剂降低反射率来提高透光率(增透掺杂)的新思路。发现了一种具有减反增透特性的超强酸掺杂剂薄膜,实现了石墨烯透光率和电导的同步提升,从而获得了电/光导率比的大幅提高,已超越商用ITO(PNAS 2020)。

 

  1、“增透掺杂”同步提升石墨烯的透光率和电导。

2)研制出大尺寸石墨烯柔性触摸屏

  提出了“内生掺杂”和“氧化绝缘”技术制备高导电的图形化石墨烯透明电极。通过与触摸屏企业合作,于2014年开发出柔性石墨烯电容式触屏的生产工艺,研发出10英寸级触屏,性能与商用ITO触屏相当。进而实现了石墨烯触屏在智能手机和平板电脑中的使用验证,推动了石墨烯在大尺寸便携式电子产品中的应用(ACS Appl. Mater. Inter. 2018)。

 

  2、基于石墨烯透明电极的柔性触屏与性能测试。

3)研制出高性能柔性OLED与柔性忆阻器

  低的光耦合输出效率是发展高效率OLED的瓶颈。采用兼具高透光率和高电导的增透掺杂石墨烯作为阳极,大幅提高了器件的光耦合输出效率,同时显著改善了电极功函数,实现了柔性绿光OLED外量子效率,电流效率和功率效率的最佳性能,远超标准 ITO 器件。研制出了英寸级的一体化OLED光源,展现出优异的发光均匀性和弯曲稳定性(PNAS 2020)。

  氧化石墨烯忆阻器是柔性数据存储器件的重要研究方向。提出了采用梯度氧化的石墨烯构建新原理忆阻器,合作研制出基于非氧化还原反应原理的新型氧化石墨烯忆阻器,获得了优异的综合性能,开关比和保持时间两项关键指标较常规氧化石墨烯器件提高近一个数量级(Nanoscale 2021)。

 

  3、高性能石墨烯基柔性OLED(a-c)与忆阻器(d-f)。

社会任职:
获奖及荣誉:

  沈阳市拔尖人才;SYNL青年创新奖

代表论著:

[1] L. P. Ma#, S. C. Dong#, H. M. Cheng, W. C. Ren*, Breaking the rate-integrity dilemma in large-area bubbling transfer of graphene by strain engineering. Adv. Funct. Mater. 2021, 2104228.

[2] L. P. Ma, Z. B. Wu, L. C. Yin, D. D. Zhang, S. C. Dong, Q. Zhang, M. L. Chen, W. Ma, Z. B. Zhang, J. H. Du, D. M. Sun, K. H. Liu, X. F. Duan, D. G. Ma, H. M. Cheng, W. C. Ren*, Pushing the conductance and transparency limit of monolayer graphene electrodes for flexible organic light-emitting diodes. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2020, 117, 25991.

[3] T. Aziz#, S. J. Wei#, Y. Sun, L. P. Ma*, S. F. Pei, S. C. Dong, W. C. Ren, Q. Liu, H. M. Cheng, D. M. Sun*, High-performance flexible resistive random access memory devices based on graphene oxidized with a perpendicular oxidation gradient. Nanoscale 2021, 13, 2448.

[4] S. J. Wei, Y. B. Hao, Z. Ying, C. Xu, Q. W. Wei, S. Xue, H. M. Cheng, W. C. Ren, L. P. Ma*, Y. Zeng*, Transfer-free CVD graphene for highly sensitive glucose sensors. J Mater Sci Technol 2020, 37, 71.

[5] M. Guo, L. P. Ma, W. C. Ren, T. S. Lai*, Control of the ultrafast photo-electronic dynamics of a chemical-vapor-deposited-grown graphene by ozone oxidation. Photonics Res 2020, 8, 17.

[6] S. J. Wei#, L. P. Ma#, M. L. Chen, Z. B. Liu, W. Ma, D. M. Sun, H. M. Cheng*, W. C. Ren*, Water-assisted rapid growth of monolayer graphene films on SiO2/Si substrates. Carbon 2019, 148, 241.

[7] D. D. Zhang#, J. H. Du#, Y. L. Hong, W. M. Zhang, X. Wang, H. Jin, P. L. Burn, J. S. Yu, M. L. Chen, D. M. Sun, M. Li, L. Q. Liu, L. P. Ma, H. M. Cheng, W. C. Ren*, A double support layer for facile clean transfer of two-dimensional materials for high-performance electronic and optoelectronic devices. ACS Nano 2019, 13, 5513.

[8] L. P. Ma, W. C. Ren*, H. M. Cheng, Transfer methods of graphene from metal substrates: a review (Invited review). Small Methods 2019, 3, 13.

[9] L. P. Ma#, S. C. Dong#, M. L. Chen, W. Ma, D. M. Sun, Y. Gao, T. Ma, H. M. Cheng, W. C. Ren*, UV-epoxy-enabled simultaneous intact transfer and highly efficient doping for roll-to-roll production of high-performance graphene films. ACS Appl. Mater. Interfaces 2018, 10, 40756.

[10] Z. K. Zhang#, J. H. Du#, D. D. Zhang, H. D. Sun, L. C. Yin, L. P. Ma, J. S. Chen, D. G. Ma, H. M. Cheng, W. C. Ren*, Rosin-enabled ultraclean and damage-free transfer of graphene for large-area flexible organic light-emitting diodes. Nat. Commun. 2017, 8, 9.

[11] X. Gan, R. T. Lv, H. Y. Zhu, L. P. Ma, X. Y. Wang, Z. X. Zhang, Z. H. Huang, H. W. Zhu, W. C. Ren, M. Terrones, F. Y. Kang*, Polymer-coated graphene films as anti-reflective transparent electrodes for Schottky junction solar cells. J. Mater. Chem. A 2016, 4, 13795.

[12] S. Jia, H. D. Sun, J. H. Du, Z. K. Zhang, D. D. Zhang, L. P. Ma, J. S. Chen, D. G. Ma, H. M. Cheng, W. C. Ren*, Graphene oxide/graphene vertical heterostructure electrodes for highly efficient and flexible organic light emitting diodes. Nanoscale 2016, 8, 10714.

[13] Y. Gao, Z. B. Liu, D. M. Sun, L. Huang, L. P. Ma, L. C. Yin, T. Ma, Z. Y. Zhang, X. L. Ma, L. M. Peng, H. M. Cheng, W. C. Ren*, Large-area synthesis of high-quality and uniform monolayer WS2 on reusable Au foils. Nat. Commun. 2015, 6, 10.

[14] J. H. Du, S. F. Pei, L. P. Ma, H. M. Cheng*, Carbon nanotube- and graphene- based transparent conductive films for optoelectronic devices. Adv. Mater. 2014, 26, 1958.

[15] J. T. Yuan#, L. P. Ma#, S. F. Pei, J. H. Du, Y. Su, W. C. Ren, H. M. Cheng*, Tuning the electrical and optical properties of graphene by ozone treatment for patterning monolithic transparent electrodes. ACS Nano 2013, 7, 4233.

近期国际国内会议报告及任职等:

[1] L. P. Ma, W. C. Ren, H. M. Cheng, Simultaneous Improvement in Conductance and Transparency of Flexible Graphene Transparent Electrode by Antireflective Dopant, 2021 International Forum on Graphene in Shenzhen, Shenzhen, 8-11 April, 2021. Invited presentation.

[2] L. P. Ma, W. C. Ren, H. M. Cheng, Epoxy-Enabled Simultaneous Intact transfer and Highly Efficient Doping for Roll-to-Roll Production of High-Performance Graphene Films, Graphene 2018, Dresden (Germany), 26-29 June, 2018. Oral presentation.

[3] L. P. Ma, W. C. Ren, H. M. Cheng, A Versatile p-type Dopant for High-performance Flexible Graphene Transparent Electrode and its Application in Optoelectronic Devices, RPGR 2017 (the 9th annual Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference), Singapore, 19-22 September, 2017. Oral presentation.

[4] L. P. Ma, W. C. Ren, H. M. Cheng, High-performance Graphene-based Transparent Conductive Films Fabricated by Roll-to-roll Processes, RPGR 2016 (the 8th International Conference on Recent Progress in Graphene-2D Research), Seoul (Korea), 25-29 September, 2016. Oral presentation.

[5] 马来鹏,石墨烯的CVD低成本制备及其在柔性触屏和有机发光二极管中的应用, 石墨烯在触屏,可穿戴电子产品应用投资高峰论坛, 上海, 2015年7月8日。邀请报告。

[6] L. P. Ma, W. C. Ren, H. M. Cheng, Tuning the Electrical and Optical Properties of Graphene by Ozone Treatment for Patterning Monolithic Transparent Electrodes, RPGR 2013 (Recent Progress in Graphene Research 2013), Tokyo (Japan), 9-13 September, 2013. Oral presentation.

授权发明专利:

[1] 任文才,高力波,马来鹏,成会明,一种低成本无损转移石墨烯的方法,授权公告日:2014.09.03,中国专利号:ZL 201110154465.9

[2] 任文才,高力波,马来鹏,成会明,一种低成本无损转移石墨烯的方法,授权公告日:2015.12.22,美国专利号: US 9,216,559 B2

[3] 任文才,高力波,马来鹏,成会明,一种低成本无损转移石墨烯的方法,授权公告日:2016.03.16,欧盟专利号:EP 2719797 B1

[4] 任文才,高力波,马来鹏,成会明,一种低成本无损转移石墨烯的方法,授权公告日:2015.11.20,日本专利号:5840772

[5] 任文才,高力波,马来鹏,成会明,一种低成本无损转移石墨烯的方法,授权公告日:2015.06.09,韩国专利号:10-1529012

[6] 任文才,高力波,马腾,高旸,马来鹏,成会明,一种大尺寸单晶石墨烯及其连续薄膜的制备方法,授权公告日:2014.11.05, 专利号:ZL 201210024680.1

[7] 杜金红,袁江潭,苏阳,马来鹏,裴松峰,成会明,一种臭氧调控纳米碳质薄膜光电性能及图案化的方法,授权公告日:2014.06.11,专利号:ZL 201310156354.0

[8] 杜金红,苏阳,马来鹏,裴松峰,刘文彬,刘畅,成会明,一种无损,无污染的纳米碳质薄膜的图案化方法,授权公告日:2015.08.12,专利号:ZL 201110187013.0

[9] 任文才,马来鹏,成会明,一种低成本,洁净无损转移大面积石墨烯的方法,授权公告日:2017年2月15日,专利号:ZL 201410376865.8

[10] 任文才,马来鹏,成会明,一种稳定掺杂的大面积石墨烯透明导电膜规模化制备方法,授权公告日:2017年2月22日,专利号:ZL 201410709308.3

[11] 任文才,马来鹏,成会明,一种通过调控结合力转移大面积石墨烯的方法,授权公告日:2017年1月11日,专利号:ZL 201410709278.6

[12] 任文才,马来鹏,成会明,一种CVD生长大面积石墨烯的规模化方法,授权公告日:2018年1月16日,专利号:ZL 201510039352.2

[13] 任文才,马来鹏,成会明,一种低成本生长大面积石墨烯的CVD方法,授权公告日:2018年3月9日,专利号:ZL 201510039341.4

[14] 任文才,马来鹏,成会明,一种卷对卷连续转移石墨烯的装置,授权公告日:2019年2月19日,专利号:ZL 201510237119.5

[15] 任文才,马来鹏,成会明,一种无损转移大面积石墨烯的方法,授权公告日:2019年6月7日,专利号:ZL 201510645447.9

[16] 杜金红,张志坤,张鼎冬,马来鹏,任文才,成会明,一种松香树脂转移石墨烯的方法及石墨烯透明导电薄膜的制备与应用,授权公告日:2019年8月16日,专利号:ZL 201611065371.3

[17] 马来鹏,任文才,董世超,成会明,一种稳定掺杂石墨烯的化学掺杂剂与掺杂方法,授权公告日:2020年7月10日,专利号:ZL 201610673816.X

[18] 马来鹏,任文才,成会明,采用液相界面层洁净,无损转移大面积二维材料的方法,授权公告日:2021年3月26日,专利号:ZL 201711167326.3

[19] 马来鹏,任文才,董世超,成会明,一种高效掺杂石墨烯的超强酸掺杂剂和掺杂方法,授权公告日:2021年3月26日,专利号:ZL 201610854519.5

授权实用新型专利

[1] 凌桦光,孟磊,马来鹏,任文才,成会明,石墨烯电容屏的层状结构,授权公告日:2015年1月7日,专利号:ZL 201410295202.3

[2] 凌桦光,孟磊,马来鹏,任文才,成会明,一种石墨烯电容式触摸屏的层状结构,授权公告日:2015年1月7日,专利号:ZL 201410294608.X

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