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裴嵩峰
性 别 最高学历 博士研究生
职 称 研究员 专家类别 硕士生导师
部 门 沈阳材料科学国家研究中心,先进炭材料研究部
通讯地址 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号,中国科学院金属研究所,先进炭材料研究部
邮政编码 110016 电子邮件 sfpei@imr.ac.cn
电 话 +86-24-83978238, 18609822680 传 真  
简历:

2019 – 至今 中国科学院金属研究所 项目研究员

2013 – 2019 中国科学院金属研究所 副研究员

2011 – 2013 中国科学院金属研究所 助理研究员

2006 – 2011 中国科学院金属研究所 博士

2003 – 2006 中国矿业大学(北京) 硕士

1999 – 2003 中国矿业大学(北京) 学士

研究领域:

1. 石墨烯等二维纳米材料的制备与应用。

2. 石墨烯等低维材料的设计与精确构筑技术。

3. 功能性薄膜材料的制备与应用

承担科研项目情况:
社会任职:
获奖及荣誉:
代表论著:

发表高质量论文30多篇,被引用12,000多次。

1.Wei Q, Pei S, Qian X, Liu H, Liu Z, Zhang W, et al. Superhigh Electromagnetic Interference Shielding of Ultrathin Aligned Pristine Graphene Nanosheets Film. Advanced Materials 2020, 32(14).

2.S. F. Pei?, Q. W. Wei?, K. Huang, H. M. Cheng, W. C. Ren*, Green synthesis of graphene oxide by seconds timescale water electrolytic oxidation, Nature Communications, 9 (2018), 145.

3.G. Zhou, S. Pei, L. Li, D.-W. Wang, S. Wang, K. Huang, L.-C. Yin, F. Li, H.-M. Cheng, A Grapheng-Pure-Sulfur Sanwich structure for ultrafast, long-life lithium-sulfur batteries. Advanced Materials 26, 625-631 (2014)

4.S. Pei, H.-M. Cheng, The reduction of graphene oxide. Carbon 50(2012), 3210-3228

5.S. Pei, J. Zhao, J. Du, W. Ren, H.-M. Cheng, Direct reduction of graphene oxide films into highly conductive and flexible graphene films by hydrohalic acids. Carbon 48 (2010), 4466-4474

近期获得专利

获授权发明专利30多项,包含美、日、韩、欧盟专利4项,其中多项已应用。

1. 美国专利:裴嵩峰;任文才;成会明,Method for continuously preparing graphene oxide nanoplatelet,专利号:US10508037B2。

2. 裴嵩峰;任文才;黄坤;成会明,一种连续化制备氧化石墨烯微片的方法,专利号:ZL201610167450.9。(已转化实施)

3. 裴嵩峰;杜金红;李峰;黄坤;任文才;成会明,一种制备高质量石墨烯的方法,专利号:ZL201110282370.5。(已转化实施)

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