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专利名称: 一种中频磁控溅射法制备纳米硅薄膜的溅射装置
专利类别:
申请号: 201120231838.3
申请日期: 20110701
专利号:
第一发明人: 肖金泉,高俊华,闻立时,张林,石南林,宫骏,孙超
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期: 20120530
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
状态:
   

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