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专利名称:
一种高孔隙率及低热导率多孔纳米碳化硅陶瓷的制备方法
专利类别:
发明
申请号:
201611149219.3
申请日期:
20161214
专利号:
201611149219.3
第一发明人:
王京阳、万鹏、吴贞
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
20200821
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
状态:
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