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专利库
专利名称:
一种GaN／MoS2二维范德华异质结光电探测器及其制备方法
专利类别:
发明
申请号:
申请日期:
20191127
专利号:
201911185895.X
第一发明人:
张兴来、刘宝丹、李晶、张建、马宗义
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
20210924
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
状态:
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