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专利名称:
一种Ga2O3纳米线阵列薄膜及其制备方法
专利类别:
发明
申请号:
申请日期:
20200629
专利号:
202010606287.8
第一发明人:
刘宝丹、张偲、李晶、张兴来
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
20210723
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
状态:
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