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专利名称: 一种单层原子沟道鳍式场效应晶体管的制备方法及产品
专利类别: 发明
申请号:
申请日期: 20200304
专利号: 202010142634.6
第一发明人: 韩拯;陈茂林;孙东明;孙兴丹;王汉文;刘航;董宝娟;刘松
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期: 20210702
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
状态:
   

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