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专利库 |
| 专利名称: | 一种“自上而下”的窄带隙分布高纯度半导体性单壁碳纳米管的干法制备方法 | |||||||
| 专利类别: | 发明 | |||||||
| 申请号: | 202211611632.2 | |||||||
| 申请日期: | 20221213 | |||||||
| 专利号: | 202211611632.2 | |||||||
| 第一发明人: | 张莉莉，张佳阳，刘畅，吉忠海，李鑫，李晓齐，成会明 | |||||||
| 其它发明人: | ||||||||
| 国外申请日期: | ||||||||
| 国外申请方式: | ||||||||
| 专利授权日期: | 20240920 | |||||||
| 缴费情况: | ||||||||
| 实施情况: | ||||||||
| 专利证书号: | ||||||||
| 专利摘要: | ||||||||
| 状态: | ||||||||
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