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专利名称:
具有台阶/裂纹结构的少层过渡金属羟基氧化物电催化电极的制备方法
专利类别:
发明
申请号:
202111540120.7
申请日期:
20211215
专利号:
202111540120.7
第一发明人:
刘岗，甄超，贾春旭，成会明
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
20241122
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
状态:
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