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专利库
专利名称:
一种低压脉冲磁场净化金属熔体的方法
专利类别:
发明
申请号:
202111520026.5
申请日期:
20211213
专利号:
202111520026.5
第一发明人:
冯小辉，杨院生，李应举，罗天骄，黄秋燕，郑策，曹天慧
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
20241129
缴费情况:
实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
状态:
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