题目：InSb 纳米线中的量子相干输运研究

　　报告人：康宁 副教授（北京大学物理电子所）

　　摘要: InSb 作为典型的 III-V 族窄禁带隙半导体材料，具有高迁移率、小有效质量、和强自旋-轨道耦合的特性，使其成为研制高速纳电子器件和量子器件的优异材料。最近的理论和实验研究表明利用超导电极和半导体纳米线复合结构可以在固态量子器件中构建拓扑超导态和 Majorana 费米子，可用于实现拓扑量子计算[1-3]。最近我们在基于分子束外延生长的单根 InSb 纳米线上展开了极低温下的量子相干输运研究。在极低温下我们观察到规律的单电子库仑震荡结构，并在经典的库仑阻塞区内观察到高阶的量子隧穿过程，这些实验观察有助于我们对 InSb 纳米线的量子能级演化和自旋轨道耦合进行细致研究。最后我还将讨论我们最近在 InSb 纳米线和超导电极复合器件中的一些新的结果。这些现象为实现基于 InSb 纳米线的长程量子相干输运和进一步的量子调控提供了基础。

　　REFERENCES:

　　[1] V. Mourik, K. Zuo, S. M. Frolov, S. R. Plissard, E. P. A. M. Bakkers, and L. P. Kouwenhoven, Science 336, 1003 (2012).

　　[2] M. T. Deng, C. L. Yu, G. Y. Huang. M. Larsson, P. Caroff, and H. Q. Xu, Nano. Lett. 12, 6414 (2012).

　　[3] A. Das, Y. Ronen, Y. Most, Y. Oreg, M. Heiblum, and H. Shtrikman, Nat. Phys 8, 887 (2012).

　　时间：4月14日（周一）8:20-9:30

　　地点：李薰楼468会议室

　　欢迎参加！