题目：阻变存储器及其在类脑计算中的应用

　　报告人：刘琦 研究员（中国科学院微电子研究所）

　　时间：12月8日（周五）10:00-11:30

　　地点：师昌绪楼403会议室

阻变存储器及其在类脑计算中的应用

　　阻变存储器具有单元尺寸小、速度快、功耗低、器件结构简单、易于三维集成等优点受到学术界和产业界的广泛关注，有望在数据存储，非易失逻辑和类脑计算等领域得到应用。然而，作为新型存储技术，RRAM在面向产业化的过程中仍然存在许多挑战需要克服。这个报告将介绍我们在阻变存储器的物理机制、性能调控、集成技术以及类脑计算四方面开展的研究工作。

　　个人简介：

　　刘琦：中国科学院微电子研究所，研究员，优青。长期从事新型非易失存储技术及应用的研究工作，在阻变存储器（RRAM）的性能优化、集成、微观机制的表征和建模上开展了系统的研究工作，主持国家重点研发计划项目和自然基金委重点、优青、面上等项目。在Nat. Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Adv. Funct. Mater., EDL和APL等期刊发表SCI论文90多篇，SCI他引2800多次，H因子27，拥有33项授权中国发明专利和3项美国发明专利。