题目：高纯度半导体碳纳米管的选择性分离及其器件应用

　　报告人：邱松 研究员（中科院苏州纳米所先进材料部）

　　时间：7月13日（周五）10:00-12:00

　　地点：李薰楼468会议室

　　摘要：高纯度半导体单壁碳纳米管(s-SWCNTs)对下一代电子器件具有重要意义。目前s-SWCNTs已经发展了许多制备与分离技术。其中，制备后的溶液法分离获得的s-SWCNTs在规模化生产、高纯度和大面积成膜等方面具有较高优势。本报告主要介绍利用共轭聚合物对碳管进行选择性分散的研究和应用，包括高纯度半导体型碳纳米管的分离，以及单手性碳纳米管的分离。进一步，基于这些分离后的碳管分散液可以实现s-SWCNTs薄膜的可控沉积，特别是取向排列碳管薄膜的可控制备。最后介绍了基于s-SWCNTs的电子器件的进展情况及存在的挑战。

　　报告人简介：邱松，中科院苏州纳米所先进材料部项目研究员。2000年毕业于吉林大学化学系，2005年于吉林大学超分子结构与材料国家重点实验室获得高分子化学与物理博士学位。2005-2008年于德国wuppertal大学进行博士后研究。2010年加入中国科学院苏州纳米所，主要从事有机半导体材料和碳纳米材料的制备及器件方面的研究，已发表学术期刊论文30余篇，专著2部。