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10.19】题目: III族氮化物半导体准范德华外延及其光电器件研究
报告人:王新强 教授
 
2022-10-19 | 文章来源:先进炭材料研究部        【 】【打印】【关闭

  报告题目: III族氮化物半导体准范德华外延及其光电器件研究

  报 告 人: 王新强 教授

  报告时间: 2022年10月19日(周三)下午15:00

  报告形式: 腾讯线上会议,会议号:219-549-556

  报告人简介:

  王新强,北京大学博雅特聘教授,2012年获杰出青年基金,2013-2014年受聘长江特聘教授,2016年获科技部中青年领军人才,2018年获得北京市卓越青年科学家项目。现任人工微结构和介观物理国家重点实验室副主任、凝聚态物理与材料物理研究所所长。长期从事第三代半导体材料、物理与器件研究,开发出大尺寸氮化铝单晶模板制备技术,实现4英寸氮化铝单晶模板与4英寸高质量紫外发光二极管(UVC-LED)外延片、大功率深紫外光源;利用边界温度外延实现了室温高电子迁移率氮化铟薄膜,开发出介质衬底上晶圆级氮化硼单晶薄膜制备技术;开发出多波段高效率LEDs及其microLEDs,实现了氮化镓基单光子发射原型器件。相关研究成果获2018年度国家技术发明二等奖(第三完成人),部分技术实现产业化。

 
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