报告题目：Toward high-performance 2D semiconductor transistors with integrated high-k dielectrics 

　　报告人：高翾　教授（美国凯斯西储大学）

　　时　间：7月13日（周四） 上午9:30 

　　地　点：李薰楼468会议室

　　  　　  

　　摘要：Recent studies of graphene-like two-dimensional (2D) materials have seen great potential in utilizing 2D semiconductors for future electronics with atomical thickness. While much work has been done on transition metal dichalcogenide (TMDC) based materials (e.g. MoS₂), there are many other 2D semiconductors to explore. In this talk, I highlight our electrical transport studies of group III-VI monochalcogenides such as InSe, in high-speed field-effect transistor applications. I will also discuss the realization of integrating high dielectric constant (high-k) 2D oxides with high mobility III-VI 2D semiconductors to achieve high-performance microelectronics with all the components (both the semiconductor channel and dielectric layer) made of atomically thin 2D materials.  

　　个人简介：高翾，博士，美国凯斯西储大学物理系终身教授，Ohio Eminent Scholar 讲席教授。主要研究领域是低维半导体，强关联二维电子系统，纳米电子学，量子材料和器件。高翾博士于1998年本科毕业于华南理工大学应用物理系。同年赴美国哥伦比亚大学应用物理及应用数学系攻读博士学位，并于2003年5月获得博士学位。他在哥大及贝尔实验室完成的博士论文获得哥伦比亚大学Robert Simon奖。之后他先后在洛斯阿拉莫斯国家实验室及哈佛大学从事博士后研究。他于2007年成为美国凯斯西储大学物理系助理教授并于2013获得终身教授职位。高翾博士已经在国际著名杂志上发表近百篇论文，获得美国发明专利1项。高翾博士的研究成就曾获多个国际奖项及荣誉，其中包括美国国家自然科学基金杰出青年科学家奖，中国科学院金属所李薰青年学者奖，全球华人物理和天文学会的杰出青年科学家奖。