设备名称：光学浮区法单晶体生长炉

　　型号：F-Z-T-12000-X-VP-S

　　制造厂家：日本CSC

　　功能用途：可用于各种金属、非金属材料的定向凝固与单晶材料的制备。

　　主要技术指标：
　　极限加热温度:3000℃
　　额定使用温度：2500℃
　　最大晶体生长长度:100mm
　　生长速度: 0.18-18mm/h
　　旋转速度: 5-60rpm