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性能表征
2015-05-28  |          【 】【打印】【关闭

设备名称

型号规格

生产厂商

性能指标

扫描电镜

Nova NanoSEM 430

美国FEI

分辨率:高真空模式1.0nm @ 15kV、1.8nm @ 1kV、0.8nm @ 30kV(STEM探测器);低真空模式1.5nm @ 10kV(Helix探测器)、1.8nm @ 3kV(Helix探测器);加速电压 200V - 30kV,连续可调;电子束流范围 0.3pA - 100nA,连续可调;样品台移动范围Nova NanoSEM 430:X=Y=100mm

透射电镜

Jeol 2010

日本Jeol

点分辨率:0.19nm;最小束斑:1nm;晶格分辨率:0.14nm;放大倍数:×50-×1500,000;最大加速电压:200KV

原子力扫描探针显微镜

CSPM-3400

北京本原纳米仪器有限公司

扫描隧道显微镜(STM)分辨率:横向0.13nm,垂直0.01nm(以石墨定标);原子力显微镜(AFM)分辨率:横向0.26nm,垂直0.1nm(以云母定标);样品尺寸:≤Φ45mm ;样品厚度:≤25mm;扫描范围:标准配置1μm×1μm;20μm×20μm;图像采样点:512×512;最大扫描速率:55000 P/S;进样方式:步进马达控制自动逼近,行程≤30mm,精度≤83nm ;扫描控制:双16-bit D/A(相当于26位精度);数据采样:双16-bit A/D (相当于23位精度)

光学显微镜

LV100D

日本NIKON CORPORATION

最高放大倍数1000倍

红外光谱仪

TENSOR 27

德国

分辨率波数4cm-1,检测范围400-4000cm-1,温度400度

紫外-可见分光光度计

V-550

日本JASCO公司

光谱范围:190nm-900nm;分辨率:0.1nm;波长重复度:±0.1nm

显微激光拉曼光谱仪

LABRAM-HR800

法国HORIBA  JOBIN YVON SAS

800mm焦长,背照式深毫型CCD,532 632 785nm激光,红外谱段检测,共焦显微镜。激光光斑直径小于1 微米,纵向分辨率好于2 微米

紫外近红外分光光度计

MU566/ 12CK5601/ 14

美国瓦里安公司

测试波长范围:175-3300nm,波长准确度:±0.08nm,紫外可见波段±0.4nm,近红外段
分辨率:0.048nm, 紫外可见波段0.2nm,近红外波段杂散光:0.00007%T,谱带宽度:0.01-5nm,可调
光度范围:8Abs

质谱仪

QMS403C

德国耐驰公司

温度范围:0-300ºC;荷质比:〈300

BET比表面积分析仪

ASAP2010M

美国Micrometritics

比表面积范围:0.01-3000m2/g;孔测量范围:0.35-300nm;压力测量范围:0-950mmHg

LB膜分析仪

KSV Minitrough II

芬兰凯博郎公司

镀膜井半径:133 mm 深度 128 mm;膜天平测量范围:最大到250 mN/m;膜天平分辨率:4 μN/m;

激光粒度分析仪

Mastersizer 2000

英国Malvern Instruments Limited

粒度范围:0.1~300nm

纳米粒度和ZETA电位分析仪

NANO ZS90

英国Malvern Instruments Limited

粒度范围:0.01~300nm

电化学工作站

AMETEK 2273

Advanced Measurement Technology, Inc

电压+ -100V,2nA-2A,扫描速率0.1mv-10V/s,频响范围:10mHz-1MHz

电化学测试仪

BT-2000

美国Arbin

电流: +10A~+1mA;电压: -1V~9V

电化学分析系统

Solartron 1260/1287

英国Solartron公司

电流范围:200nA to 2A;电压范围:±14.5V;频率范围:10μHz to 32MHz

半导体测试仪

Keithley 4200

美国KEITHLEY INSTRUMENTS INC

电流范围 0.1fA -0.1A电流0.1fA 电压范围0-200V 精度 1nV

高阻计(静电计)

Keithley-6517B

美国KEITHLEY INSTRUMENTS INC

电阻测量可达1016Ω;电流测量范围1fA-20mA;最小电流量程输入压降<20µV;200TΩ输入阻抗;<3fA偏置电流;高达425rdgs/s;噪声0.75fA p-p;内置±1kV电源

综合热分析仪

STA449C Jupiter

德国耐驰公司

低温炉:-120ºC到750ºC;高温炉:25ºC-1650ºC;最大称重和范围:5g;灵敏度:0.1µg;气氛:氧化、还原、惰性和真空;加热速率 (K/min):0.1-50

Fluke热像仪

Ti32

Fluke热像仪

温度-20~+600℃,热灵敏度(NETD)≤0.05,像素320*240

转矩流变仪

Polylab QC

赛默飞世尔科技/ 美国

最大转速200 rpm,最大温度400°C,最大扭矩160Nm,速率比3:2,加热/冷却3段。

动态机械分析仪

Q800

美国沃特斯公司

最大力18N,最小力0.0001N,频率范围0.01~200Hz,温度范围-150~600℃

精密万能材料试验机

HIKS

英国 Hounsfield test equipment Ltd.

应力精度:±0.5%;应变精度:±0.01mm或者±0.05%空载;极限:5N/50N

真空冷冻干燥机

LGJ-50F

北京松源

冷阱盘管温度:-50℃,极限真空度:13Pa以下

高速离心喷雾干燥机

GZ-10型

无锡市阳光干燥设备厂

进风温度小于330℃,蒸发量10Kg/h

纳米炭复合材料研究团队

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