报告题目：铁电全闭合畴结构的形成与调控

　　主讲嘉宾：王宇佳 副研究员（固体原子像研究部）

　　活动时间：10月28日（周五）上午10:00—11:30

　　活动地点：李薰楼249会议室

　　报告简介：

　　铁电全闭合畴结构属于铁电材料中的拓扑缺陷，因其具有拓扑稳定性、可以有效避免串扰而有望在高密度存储器件中进行应用。利用PLD技术在特定的衬底上生长PbTiO₃薄膜，并在其上外延覆盖SrTiO₃薄膜，我们成功制备了铁电全闭合畴结构，并且利用像差校正透射电子显微镜实验进行观察。通过相场模拟发现这种全闭合畴结构是在特定的力学、电学边界条件才得以实现的。通过衬底应变、电场、薄膜厚度等可以对这种畴结构进行调控。

　　主讲嘉宾简介：

　　王宇佳，中科院金属所副研究员，硕士生导师。王宇佳博士于2006和2012年分别在华中科技大学和中国科学院金属研究所获学士和博士学位。2012年进入金属研究所工作，主要从事钙钛矿型铁性氧化物材料的计算模拟工作。期间于2015年10月至2016年4月在美国华盛顿大学做访问学者，研习相场模拟方法。代表性研究工作有：开发提取高分辨图像原子坐标的程序；预测铁电薄膜中对称全闭合畴阵列的存在等。

　　欢迎所内广大职工和研究生前来交流！