报告题目：挠曲电效应及其在纳米材料中的应用

　　主讲嘉宾：洪家旺  教授（北京理工大学 力学系）

　　活动时间：8月16日（周五）10:00—11:30

　　活动地点：李薰楼249会议室

　　报告简介：

　　挠曲电效应描述的是介电材料中电极化强度与应变梯度之间的线性力电耦合效应。 挠曲电效应可以存在于所有介电材料中，突破了一般力电耦合效应——压电效应只能存在于非中心对称材料的限制。我们发展了考虑挠曲电效应的第一性原理方法，揭示了挠曲电效应产生的微观机理，并发展了相应的计算方法计算获得了几类典型材料的挠曲电效应系数。同时，通过发展宏观唯像模型，研究了挠曲电效应在纳米介电材料中的影响，揭示了挠曲电能够增加铁电薄膜的临界尺寸，并且使得材料刚度软化的现象。基于此，我们提出了一种在纳米尺度下测量挠曲电效应系数的表征方法，并利用其对复杂氧化物界面性能进行有效调控。

　　嘉宾简介：

　　洪家旺，北京理工大学教授，博士生导师。于2010年在清华大学获得博士学位，期间2007-2008年在英国剑桥大学进行交流访问，2010至2016年分别在美国Rutgers大学和橡树岭国家实验室从事博士后研究工作。主要从事先进功能材料和能源材料的多场耦合力学行为理论与中子/同步辐射实验研究，以及原子尺度模拟计算方法的发展。在Science, Nature, Nature Physics, Nature Energy, Phys. Rev. Lett.等期刊发表学术论文50余篇，担任Science, Nature Materials, Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. X, Advanced Materials等期刊审稿人。

　　欢迎所内职工和研究生前来交流！