题目：六方氮化硼基深紫外光电探测器研究进展

报告人：李强，西安交通大学电子学院

时间：2026年6月8日 14：00

地点：师昌绪楼403室

报告摘要：

    六方氮化硼(hBN)在介电衬底应用与高功率电力电子器件应用领域中具有极大的发展潜力，也是制备真空紫外探测器(VUV PDs)最有前途的候选材料之一。现阶段，大面积hBN的高效、低成本制备仍然面临许多挑战。

    本报告主要从磁控溅射技术、低压气相沉积法（LPCVD）、自助装技术等多条路径讲述英寸级hBN薄膜的生长制备，并用于制备MSM型、异质结型、增强型、线阵等各种结构的真空紫外（185 nm）探测器。

报告人简介：

    李强，西安交通大学电子学院 院长助理，教授，博士生导师，英国谢菲尔德大学电子工程系访问学者。《光子学报》首届青年编委，Crystals、Photonics客座主编。近年来在Advanced Functional Materials，Advanced Science等期刊上发表学术论文60余篇，主持和参与国家重点研发计划在内的项目10余项。西安交通大学宽禁带半导体材料与器件“青年文明号”团队号长，国家第三代半导体产业联盟青年委员、新质力材料发展联盟常务理事、半导体材料领域智库专家。曾获“强国青年科学家”提名奖、中国发明协会成果奖一等奖。