设备名称：光学浮区法单晶体生长炉

　　型号： FZ-T-12000-X-VIII-VPO-PC

　　制造厂家：日本CSC

　　功能用途：

　　可用于各种金属、非金属材料的定向凝固与单晶材料的制备。　　

　　主要技术指标：
　　极限加热温度:3000℃；
    额定使用温度：2800℃；
    最大晶体生长长度:150mm；
    生长速度: 0.01-300mm/h；
    旋转速度: 5-100rpm。