应课题组邀请，德国卡尔斯鲁厄理工大学Peter Gumbsch教授，Ruth Schwaiger博士，及其博士生Adrien Gola和Thomas Kreuter于2016年3月10日到13日访问课题组并开展交流讨论。

　　双方就亥姆霍兹团队合作项目的实验进展和下一步合作机会展开讨论。讨论包括Cu-Ag/Ni的多层膜结构的界面原子互混情况，界面处的适配位错结构和多层膜内位错密度变化；CuAg/Ni和Cu/Ni多层膜在压缩和剪切变形时的位错反应行为；微柱压缩行为并获得了应力应变曲线和界面剪切阻力；表面粗糙度和摩擦力对微柱压缩的影响等。

　　P. Gumbsch教授长期从事材料结构与力学性能方面的理论模拟与计算研究工作，特别是在位错动力学模拟与分子动力学模拟方面取得了国际公认的若干重要研究成果，他是计算材料学领域中杰出的科学家之一。Gumbsch教授及其团队目前已经发展了世界领先级的从原子尺度、微观结构尺度到介观尺度的多尺度材料模拟方法与工具（包括三维离散位错动力学模拟）。

Gumbsch教授（图一右）和课题组成员交流讨论